修改於:
六月 09,2019
評價:
下載:
105
替代的版本:
供應商零件名稱:
CGHV96100F2
名稱: CGHV96100F2 (Package Type — 440217) 描述: CGHV96100F2
100 W, 8.4 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT
Cree’s CGHV96100F2 is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor
(HEMT) on Silicon Carbide (SiC) substrates. This GaN Internally Matched (IM) FET
offers excellent power added efficiency in comparison to other technologies. GaN
has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher
breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal
conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths
compared to GaAs transistors. This IM FET is available in a metal/ceramic flanged
package for optimal electrical and thermal performance. 供應商零件名稱: CGHV96100F2
組態 & 下載
評價 & 評論 (0)
標籤 (0)
替代的版本
變更下面的選項以自訂要下載的模型。按一下更新預覽的按鈕，以便將您的變更套用至檢視器。
檢視:
4 個視圖
多個視圖
前視
最高評價
右視
後視
下視
左視
等角視
二等角視
不等角視
目前的工作階段已逾時。請按下「確定」以重新載入頁面，然後再試一次。
下載...
模型已準備好可供下載。<br/>拖曳及置放連結至 SOLIDWORKS 中，或按一下連結來下載檔案。
(需要登入)
技能:
Electro/Mechanical PCB Designer
興趣:
Engineering,Music,Pottery
報告不適當的使用者